Đề Thi Trắc Nghiệm Môn Bảo Trì Điện Phần 4 - Có Đáp Án - Đại Học Điện Lực (EPU)
Ôn luyện với đề thi trắc nghiệm môn "Bảo Trì Điện" phần 4 từ Đại học Điện lực (EPU). Đề thi bao gồm các câu hỏi trọng tâm về quy trình bảo trì, bảo dưỡng hệ thống điện, thiết bị điện và các tiêu chuẩn an toàn, kèm đáp án chi tiết giúp sinh viên củng cố kiến thức và chuẩn bị tốt cho kỳ thi. Đây là tài liệu hữu ích cho sinh viên ngành điện và điện tử. Thi thử trực tuyến miễn phí và hiệu quả.
Từ khoá: đề thi trắc nghiệm môn Bảo trì điện phần 4Đại học Điện lựcEPUđề thi Bảo trì điện có đáp ánôn thi Bảo trì điệnkiểm tra Bảo trì điệnthi thử Bảo trì điệntài liệu ôn thi Bảo trì điện
Số câu hỏi: 25 câuSố mã đề: 1 đềThời gian: 30 phút
87,538 lượt xem 6,726 lượt làm bài
Bạn chưa làm đề thi này!!!
Xem trước nội dung:
Câu 1: 0.4 điểm
Đối với S7 200, ký hiệu AIW5 là ...
A.
Địa chỉ cho giá trị đầu vào số
B.
Địa chỉ cho giá trị đầu ra tương tự
C.
Vô nghĩa
D.
Địa chỉ cho giá trị đầu vào tương tự
Câu 2: 0.4 điểm
Đối với S7 200, ký hiệu AQW2 là ...
A.
Địa chỉ cho giá trị đau ra số
B.
Địa chỉ cho giá trị đầu ra tương tự
C.
Địa chỉ cho giá trị đầu vào tương tự
D.
Địa chì cho giá trị đầu vào số
Câu 3: 0.4 điểm
Đối với S7 200, ký hiệu AQ5 là ...
A.
Vô nghĩa
B.
Địa chỉ cho giá trị đầu vào số
C.
Địa chì cho giá trị đầu ra tương tự
D.
Địa chỉ cho giá trị đầu vào tương tự
Câu 4: 0.4 điểm
Đối với S7 200, ký hiệu VI0.2 là...
A.
Địa chỉ vùng nhớ biến số theo byte
B.
Địa chỉ vùng nhớ biến số theo double word
C.
Địa chỉ vùng nhớ biến số theo word
D.
Địa chỉ vùng nhớ biến số theo bit
Câu 5: 0.4 điểm
Đối với S7 200, ký hiệu VB10 là ...
A.
Địa chỉ vùng nhớ biến số theo byte
B.
Địa chỉ vùng nhớ biến số theo word
C.
Địa chỉ vùng nhớ biến số theo double word
D.
Địa chỉ vùng nhớ biến số theo bit
Câu 6: 0.4 điểm
Đối với S7 200, ký hiệu VW10 là ...
A.
Địa chỉ vùng nhớ biến sổ theo double word
B.
Địa chỉ vùng nhớ biến số theo bit
C.
Địa chỉ vùng nhớ biến số theo word
D.
Địa chỉ vùng nhớ biến sổ theo byte
Câu 7: 0.4 điểm
Đối với S7 200, ký hiệu VD10 là ...
A.
Địa chỉ vùng nhớ biến số theo bit
B.
Địa chỉ vùng nhớ biến số thẹo word
C.
Địa chì vùng nhớ biến số theo double word
D.
Địa chỉ vùng nhớ biển số theo byte
Câu 8: 0.4 điểm
Đối với S7 200, ký hiệu MI0.2 là ...
A.
Địa chỉ vùng nhớ nội theo bit
B.
Địa chỉ vùng nhớ nội theo double word
C.
Địa chỉ vùng nhớ nội theo byte
D.
Địa chỉ vùng nhớ nội theo word
Câu 9: 0.4 điểm
Đối với S7 200, ký hiệu MB10 là ...
A.
Địa chỉ vùng nhớ nội theo double word
B.
Địa chỉ vùng nhớ nội theo byte
C.
Địa chỉ vùng nhớ nội theo word
D.
Địa chỉ vùng nhớ nội theo bit
Câu 10: 0.4 điểm
Đối với S7 200, ký hiệu MW10 là ...
A.
Địa chỉ vùng nhớ nội theo word
B.
Địa chỉ vùng nhớ nội theo byte
C.
Địa chỉ vùng nhớ nội theo bit
D.
Địa chỉ vùng nhớ nội theo double word
Câu 11: 0.4 điểm
Đổi với S7 200, ký hiệu MD10 là
A.
Địa chỉ vùng nhớ nội theo byte
B.
Địa chỉ vùng nhớ nội theo bit
C.
Địa chỉ vùng nhớ nội theo double word
D.
Địa chi vùng nhớ nội theo word
Câu 12: 0.4 điểm
Đoạn mã lệnh.
A.
Q0.0=NAND(I0.0,I0.1)
B.
Q0.1=NOR(I0.0,I0.1)
C.
Q0.0=AND(I0.0,I0.1)
D.
Q0.1=OR(I0.0,I0.1)
Câu 13: 0.4 điểm
Đoạn mã lệnh.
A.
Q0.1=AND(I0.0,I0.1)
B.
Q0.0=OR(I0.0,I0.1)
C.
Q0.1=AND(I0.0,NOT(I0.1))
D.
Q0.0=OR(I0.0,NOT(I0.1))
Câu 14: 0.4 điểm
Đoạn mã lệnh.
A.
Q0.0=OR(I0.0,NOT(I0,1))
B.
Q0.0=AND(I0.0,I0.1)
C.
Q0.1=OR(I0.0,I0.1)
D.
Q0.1=AND(I0.0,NOT(I0.1))
Câu 15: 0.4 điểm
Đoạn mã lệnh.
A.
Q0.1=OR(I0.0,I0.1)
B.
Q0.0=OR(I0.0,NOT(I0.1) )
C.
Q0.1=AND(I0.0,I0.1)
D.
Q0.0=AND(I0.0,NOT(I0.1))
Câu 16: 0.4 điểm
Đoạn mã lệnh.
A.
Q0.1=AND(I0.0,NOT(I0.1))
B.
Q0.0=NOT(AND(I0.0,I0.1))
C.
Q0.1=OR(I0.0,I0.1)
D.
Q0.0=AND(NOT(I0.0),I0.1)
Câu 17: 0.4 điểm
.
A.
C
B.
A
C.
B
D.
D
Câu 18: 0.4 điểm
Đoạn mã lệnh.
A.
Q0.0=OR(I0.0,NOT(I0,1))
B.
Q0.0=AND(I0.0,I0.1)
C.
Q0.1=OR(I0.0,I0.1)
D.
Q0.1=AND(I0.0,NOT(I0.1))
Câu 19: 0.4 điểm
.
A.
A
B.
D
C.
B
D.
C
Câu 20: 0.4 điểm
.
A.
D
B.
C
C.
A
D.
B
Câu 21: 0.4 điểm
Đoạn mã lệnh.
A.
Q0.1=OR(I0.0,NOT(I0.1)
B.
Q0.1=OR(I0.0,I0.1)
C.
Q0.0=NOT(AND(I0.0,I0.1))
D.
Q0.0=AND(NOT(I0.0),I0.1)
Câu 22: 0.4 điểm
Sơ đồ bậc thang.
A.
Q0.0=NOR(I0.0,I0.1)
B.
Q0.0=R(I0.0,I0.1)
C.
Q0.0=AND(I0.0,I0.1)
D.
Q0.0=AND(I0.0,NOT(I0.1))
Câu 23: 0.4 điểm
Sơ đồ bậc thang.
A.
Q0.0=AND(I0.2,I0.3)
B.
Q0.1=AND(I0.1,I0.3)
C.
Q0.1=OR(I0.2,I0.3)
D.
Q0.0=X(I0.2,I0.3)
Câu 24: 0.4 điểm
Sơ đồ bậc thang.
A.
Q0.0=AND(I0.3,I0.1)
B.
Q0.0=AND(I0.0,I0.1)
C.
Q0.0=OR(I0.0,I0.1)
D.
Q0.0=XOR(I0.0,I0.1)
Câu 25: 0.4 điểm
Sơ đồ bậc thang.
A.
Q0.1=AND(OR(I0.2,I0.3),I0.0)
B.
Q0.0=AND(OR(I0.0,I0.1),I0.2)
C.
Q0.1=OR(AND(I0.2,I0.3),I0.3)
D.
Q0.1 =OR(I0.1,AND(I0.2),I0.3)
Đề thi tương tự
Đề Thi Trắc Nghiệm Môn Lắp Ráp Và Bảo Trì Hệ Thống - Đại Học Dân Lập Duy Tân
3 mã đề 110 câu hỏi 2 giờ
10,028 xem762 thi
Đề Thi Trắc Nghiệm Môn Bảo Hiểm 123 HUBT - Đại Học Kinh Doanh Và Công Nghệ Hà Nội - Miễn Phí Có Đáp Án
2 mã đề 98 câu hỏi 1 giờ
38,086 xem2,923 thi
Đề Thi Trắc Nghiệm Môn Luật Kinh Doanh Bảo Hiểm - Có Đáp Án - Học Viện Công Nghệ Bưu Chính Viễn Thông (PTIT)
1 mã đề 50 câu hỏi 1 giờ
142,175 xem10,922 thi
Đề Thi Trắc Nghiệm Môn Y Tế Công Cộng - Bảo Hiểm Y Tế 25% BMTU Đại Học Y Dược Buôn Ma Thuột Có Đáp Án
3 mã đề 66 câu hỏi 1 giờ
76,994 xem5,914 thi
Trắc nghiệm ôn thi tốt nghiệp THPT môn Vật Lý Chủ đề 2: Các định luật bảo toàn
1 mã đề 19 câu hỏi 1 giờ
261,041 xem20,074 thi
Trắc nghiệm ôn luyện thi tốt nghiệp THPT môn Lịch Sử Chủ đề 3: Chiến tranh bảo vệ tổ quốc và chiến tranh giải phóng dân tộc trong lịch sử Việt Nam (trước cách mạng tháng 8 năm 1945)
1 mã đề 51 câu hỏi 1 giờ
254,172 xem19,547 thi
Trắc nghiệm ôn luyện thi tốt nghiệp THPT môn Lịch Sử Chủ đề 6: Cách mạng tháng 8 năm 1945, chiến tranh giải phóng dân tộc và chiến tranh bảo vệ tổ quốc trong lịch sử Việt Nam
1 mã đề 170 câu hỏi 1 giờ
365,563 xem28,112 thi
Đề Thi Trắc Nghiệm Môn Triết Học Master Đại Học Đông Á Có Đáp Án
1 mã đề 50 câu hỏi 1 giờ
31,976 xem2,453 thi